AI技术的快速普及，叠加智能终端、数据中心和高性能计算等领域的迅猛发展，存储密集型应用需求急剧增长。以DeepSeek为代表的人工智能创新应用不断涌现，推动了市场对超高速、超大容量、低功耗及小体积存储解决方案的强烈需求，不仅成为多元化市场的关注焦点，也正成为存储产业角逐的新高地。

3月12日，时创意将受邀出席CFMS丨MemoryS 2025闪存市场峰会，以“智领变革，存储万象”为主题，与全球产业链伙伴、业界菁英及专家共同探讨在AI、5G、自动驾驶等前沿领域的存储应用风向，分享技术变革浪潮下的高价值存储技术解决方案。

此次峰会，时创意将重磅展示：以全面量产的1TB UFS 3.1为代表的超大容量嵌入式闪存系列产品，兼具低功耗、超高速特性的LPDDR5X，以及专为小体积智能穿戴设备设计的超薄ePOP存储解决方案。模组方面，时创意将带来顺序读写速度分别达14000MB/s、13000MB/s的PCIe 5.0 SSD—S14K Pro，以及速率高达8000Mbps的DDR5 UDIMM RGB电竞游戏版内存产品。此外，时创意计划年内推出小体积、高性能的LPCAMM2内存解决方案，其尺寸相比SODIMM缩小60%，频率达7500MT/s，最大容量128GB，为AI应用等前沿存储应用场景提供强有力的存储方案。

目前，时创意总部大厦已全面投产运营，作为集研发、制造及营销于一体的综合性总部大厦，其实现了全楼宇的智能化与数字化管理，拥有国际标准化的千级无尘智能制造中心，时创意整体智造水平与产能得到大幅提升。其中，芯片封测制造前道工序采用全球一流的SDBG隐切设备，晶圆研磨划片25um厚度薄Die，具备16 Die BGA芯片封装能力；后道工序采用C Molding工艺，具备0.65mm超薄芯片塑封能力，配置全球顶级的TERADYNE测试设备，超高频测试速率达11000MHz。

此外，时创意总部大厦规划建设总面积达3000㎡的存储产品实验工程中心，中心将具备严密完整的测试和分析流程体系，先进齐全的硬件环境和测试仪器设备，并配备经验丰富的实验室测试人员，设有存储器芯片与模组产品FA失效分析实验区、环境实验区、物理实验区、环保测试区、兼容性试验区、产品电性能试验区等功能分区。

峰会期间，时创意在现场设有专属会客厅，倪黄忠董事长将携时创意高管团队与您面对面探讨AI时代芯动能，开拓数据存储新边界，解锁智能浪潮新机遇。我们期待您的莅临！