性能跃进 突破想象
1.更高性能,传输速率高达6400Mbps
2.支持多Bank Group模式,采用WCK信号设计
3.支持非目标性片内终结( NT-ODT)技术
4.专为低功耗移动设备需求而设计,工作电压低至0.5V
5.支持多组电压动态调节
6.引入了数据复制(Data-Copy)和写X(Write-X)
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智能穿戴
优质的性能, 卓越的能效
1.为低功耗移动设备需求而设计,工作电压低至0.6V
2.兼备低功耗与高速性能双重优势,相较LPDDR3性能提升约50%
3.通过时创意多重严苛测试,具备高可靠性与兼容性
4.提供适合移动设备的全方位RAM解决方案
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2024,10,13
10月12日,时创意&哈工大(深圳)联合举办第二届“创芯杯”竞赛总决赛完美收官!倪黄忠董事长亲临现场,7支参赛队上演巅峰对决,时创意2025专场校招也如火如荼……
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2024,09,27
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