EN

极速“芯”生丨时创意SCY发布SD7.0存储卡,畅享全新视觉盛宴

2024-07-30      来源:

随着AI应用及高端笔记本等智能终端的普及,消费者对于SD卡的性能与容量提出了更高要求,大容量、高速且兼具性价比的闪存卡需求陡增。而SD Express的普及,标志着SD卡正式接轨SSD效能级别。


近日,时创意全新发布SD7.0存储卡。此款产品支持PCIe Gen3X1 NVMe 1.3接口,尺寸为32×34×2.1mm,重量为2g,顺序读写速度分别高达820MB/s、710MB/s,读速较常规SDXC UHS-I标准快出8倍,可选128GB~512GB容量空间,为高端笔记本、摄影摄像设备、游戏掌机和无人机等主流终端提供强大的存储支持。


图片


时创意SD7.0存储卡特点及优势:

 · 符合Class 10/U1/U3/V30/A2性能等级;

 · 支持4K RAW超高清视频摄制、高速连拍和大型文件传输;

 · 拥有垃圾回收机制和坏块管理等固件功能,数据稳定录入不掉;

 · 反复擦写特性(P/E Cycle超3000次),确保数据安全可靠;

 · 兼顾防水、防震、防射线与抗冲击等特点,坚固耐用的品质无惧恶劣使用环境;

 · 向下兼容UHS-I及早期SD接口;

 · -25℃~85℃工作温度。


【主控方案】


在主控方案上,该内置控制芯片采用SM2708AB主控,精选3D TLC NAND颗粒,可大幅提升单位容量密度;高达1200MT/s的NAND闪存界面,可在PCIe Gen3双通道界面上充分利用最大的频宽。凭借NANDXtend® ECC纠错、内部资料路径保护、可程式化固件等技术优势,确保芯片具备稳定性、可靠性及耐用性。


【硬件设计】


硬件设计方面,SD7.0存储卡采用双排金手指设计,双通道实现更高的传输速度,有效避免在数据量过大时出现存储延时,同时提升耐用性与可靠度其同时支持两种类型的电源轨,SD模式下3.3V,PCIe模式下则为3.3V、1.8V。内置的PMIC电源管理芯片,将输入电源VDD1(3.3V)和VDD2(1.8V)传输到主控芯片,令设备运行更稳定;I/O接口电源则提供不同的电源电压,进一步降低产品温度和功耗,使整体传输效能得到出色优化。


图片

▲时创意SD7.0存储卡双排金手指设计

【应用反馈】


时创意SD7.0存储卡的强劲性能在实际应用中得到了充分验证。以4K超高清视频录制为例,传统存储卡在进行数据处理时,往往会出现传输瓶颈,导致录制卡顿、中断或掉帧。而SD7.0以高速读写能力轻松应对高分辨率视频的录制和回放,带来流畅无阻的存储体验,同时画面更显生动;在摄影领域,SD7.0可快速导出入大量RAW格式照片,无需长时间等待,即可进行无缝编辑与分享,极大提升工作效率。


依托固件研发、硬件设计、产品验证、先进封装等方面的深厚积累,加持质量管控等严苛要求,时创意契合不同主流平台与应用场景,逐步深化存储卡类产品布局,在存储器的性能、可靠性、兼容性、功耗等关键特性上持续精进,为客户提供高质量存储解决方案。


※文中数据来源于时创意实验室,环境差异可能导致数据波动。