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时创意群“芯”荟萃 高能产品亮相全球半导体产业(重庆)博览会

2021-05-13      来源:


2021年5月6-8日,作为我国中西部地区唯一的半导体行业专业盛会,第三届全球半导体产业(重庆)博览会(GSIE2021)在“重庆国际博览中心”盛装启幕。时创意首度亮相重庆参展GSIE2021,以“不忘初芯 与时俱进”为参展主题,携旗下SCY品牌嵌入式存储芯片、SSD固态硬盘及DRAM内存模组等明星产品悉数亮相,展馆位于重庆国际博览中心 N8馆T60展位。


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时创意作为国内数据存储领域的新生代领军企业,近年来持续研发取得引人注目的产品成果,能够满足消费级、企业级、工规级等各类存储需求。此次展会上,时创意的众多展出产品,尤其是首次发布的SCY DDR5产品,受到现场许多专业观众的热情关注。


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一、DRAM内存模组——

SCY DDR5 UDIMM 4800MHz产品

近几年来,时创意一直在默默地积极布局DRAM内存模组市场。目前,时创意已在DDR4产品上积累了大量的经验,建立成熟的生产制程体系,实现了批量生产和供货。时创意紧跟国际行业技术潮流,在此次展会上全新发布了SCY DDR5 4800MHz内存模组产品。


为了满足客户对于内存带宽持续增长的需求,实现下一代计算机系统的更高性能目标,SCY DDR5做了大量的改进,超过以前历代SDRAM,通过一系列强大的新功能和增强功能实现,在整体系统性能方面有极大提高,推进高速传输信号的极限,并直接解决了内存带宽增长的挑战。


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SCY DDR5内存模组着重提高容量和频率。在新的标准之下,其内存最高速度将会达到6.4Gbps,UDIMM(Unbuffered Dual In-Line Memory Modules无缓冲双列直插式内存模组)起始容量为16GB,最大容量为128 GB。


在容量层面,SCY DDR5单颗芯片容量可达到64Gbit,是DDR4 16Gbit的4倍。在带宽上,SCY DDR5的带宽将会是DDR4内存的两倍,预计将会达到4.8Gbps,总带宽将会有38%的提升,最高可达到8400MHz左右。


相较DDR4,SCY DDR5做出了很大改进:

  • DFE反馈均衡器:
    在DQ接收端上以多路判断反馈均衡器(DFE)的形式增加信号的均衡。在更高速率下,DFE缓解内部信号干扰(ISI)的影响。
  • 占空调节器(DCA):
    能调整包括DQ和DQS在内部读取路径的占空比。它改进了信号经过期间小占空比失真,最终通过控制器优化对DQ和DQS信号接收端的占空比。
  • DQS间歇脉冲震荡电路:
    允许控制器监控由于电压和温度变化造成的DQS时钟树延迟的变化。
  • 更低功耗:
    SCY DDR5的工作电压由DDR4的工作电压1.2V降低到1.1V,进一步降低功耗。
  • 通道的改变:
    除了更高数据速率和对I/O电路系统的改善外,SCY DDR5 具有2个40-bit(32位数据+ECC)独立通道。当在DDR5颗粒与一个默认16的脉冲宽度(BL16)相结合时,允许一个单独脉冲仅使用其中一个独立通道,或仅使用半个DIMM访问64B的数据。随着这两个独立通道提供交叉访问的能力,从而极大改善并发性。
  • 更大的DRAM阵列:
    与DDR4比较,DDR5拥有双倍区块群(BG)数量,保持了区块/区块群的数量一样,这实际上使设备中的区块数量翻倍。除了同样区块刷新和在命令总线中提升前/后同步信号在命令总线外,有助于缓解DDR4中常见的传统性能瓶颈,改善整个内存接口的有效带宽。

 
时创意SCY DDR5内存模组的成功推出,为客户的设备性能提升提供了更优质的选择。未来,随着全球服务器内存升级及市场需求持续上涨趋势,时创意将致力于为客户带来品质更优、价格实惠的DRAM内存模组产品。



二、固态硬盘——

SCY PCIe SSD系列产品


 这次展会,时创意还展出了新一代接口的PCIe 4.0 SSD S7000 Pro系列和全国产化PCIe3.0 旗舰SSD产品G2000系列。其中,PCIe 4.0 SSD S7000 Pro的连续读写可实现7400MB/s和6700MB/s,产品容量大、性能强、功耗低、散热快,品质表现十分突出。


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G2000系列更是采用了全国产方案,采用长江存储 Xtacking技术64层3D TLC闪存颗粒,连续读写性能最高可达到2590MB/s和2000MB/s,最大容量可支持1TB,同样具备可靠性强、性能稳定等产品特点。


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嵌入式存储芯片——

国内首发256GB eMMC产品


 此次展会上,时创意展出了eMMC、LPDDR4/4X、eMCP、eSSD等嵌入式存储芯片产品。时创意现已完成8GB-256GB全容量系列eMMC芯片的规模量产。该芯片产品凭借高可靠性、耐久性的产品特质,已经通过多个国内主流平台的兼容性测试验证和严格质控标准要求。

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 当前,在嵌入式存储芯片领域,时创意已开启UFS高端智能手机存储芯片的研发,预计2021下半年将会推出256GB-1TB UFS系列芯片。此外,还将持续推动eMCP、LPDDR、uMCP等嵌入式存储产品的研发,为全球客户提供高品质、可信赖的产品、解决方案与服务。



 据了解,本届全球半导体产业(重庆)博览会以“众智汇芯 创越极技”为主题,完整覆盖半导体产业链,设置集成电路制造、半导体材料、AI+IOT+5G等九大展览专区,以技术展览、产品发布、高端论坛等形式,赋能重庆加速构建“芯屏器核网”全产业链,汇聚了全国众多半导体领域权威专家学者、产业链上下游企业及35000+专业观众,共同探讨产业创新发展及未来趋势。


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 在产品的研发和制造方面,时创意的优势在于构建了从Wafer封装到模组生产的存储芯片完整产业链体系,从2016年以来逐年加大研发投入,80%以上的研发和生产封装设备均为国际一流、国内首用。随着设施设备不断更新迭代,公司的固定资产已经从2016年的3000万积累到如今的3亿元。公司于去年国内首发8Die堆叠的256GB eMMC,NAND flash已实现16Die堆叠技术,单颗TLC BGA容量达到1TB,芯片封装直通率达到99.9%以上,整体封装产能实现16KK/月。


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 目前,时创意立足深圳,三地运营,全球布局,通过打造 “一个国际物流中心”、“两个先进智造工厂”、“三大全球营销中心”、“四个研发实验室”、“五个研发基地”,持续深化从芯片研发到交付的一体化网络式产业布局。未来,时创意将携手更多产业链合作伙伴们,快速迈入国际先进的高端存储领域,为全球客户提供高品质、可信赖的产品、解决方案与服务。



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