4月24至26日，为期三天的JAPAN IT WEEK2024 SPRING在东京Big Sight隆重举行。时创意携SSD固态硬盘、DRAM内存模组、嵌入式存储芯片及移动存储等全系列产品及技术解决方案精彩亮相，与横跨IT、DX和数字化信息技术领域近900家全球知名企业汇聚一堂，并以突出的产品力、先进智造工艺及高品质服务等硬核实力赢得众多观展嘉宾的高度赞誉。
▲展会现场
▲时创意团队向客户推介产品
01 SSD固态硬盘
伴随5G、云计算、AI及大数据等前沿科技的蓬勃发展，用户对于存储系统的性能阈值与稳定性需求急速攀升。高速读写、大容量、稳定可靠的SSD系列产品，逐步成为个人与企业在多元应用场景下存储的理想解决方案。
▲时创意嵌入式存储产品系列
时创意S7000 Pro、S7000、 C7000 、S500等SSD固态硬盘为此次参展力推的重点产品，以超高速传输、海量存储空间、耐用性及低功耗等特性，在提升系统响应速度、优化效能以及增强数据安全性等方面具备突出优势。以时创意S7000 Pro为例，其顺序读写速度分别高达7100MB/s、6400MB/s，拥有4TB大容量存储空间，DRAM-base设计可大幅提升4K随机读写性能，支持PCIe L1.2低功耗模式，另配备导流式散热马甲使散热效果更佳。
02 DRAM内存模组
基于敏锐的市场洞察和深厚的技术底蕴，时创意持续深耕DRAM内存模组领域，构建起完备成熟的制造工艺体系，完成从DDR4到DDR5的迭代升级，并顺利推进新产品的规模化量产，满足高性能计算时代对高带宽、低延迟的内存需求。
DDR5模组内存，传输速率高达6400Mbps，容量高达64GB，内置PMIC电源管理芯片与On-die ECC功能令设备运行更稳定，且兼容Intel与AMD平台。其中，DDR5 UDIMM支持定制的Intel XMP 3.0 与 AMD EXPO一键超频技术，可轻松提升游戏帧率、缩短应用程序加载时间，将高端游戏笔记本、高性能一体机等客户端体验推向新高度。
▲时创意DDR5 UDIMM
03 嵌入式存储
在嵌入式存储领域，时创意不断推出UFS3.1、LPDDR5、ePOP等系列产品，利用自身在核心固件算法开发、存储器设计与仿真、先进封装工艺、测试开发等方面的技术积淀，持续为广大客户提供深度定制化的存储器解决方案，赋能手机、平板、智能穿戴等智能终端设备实现小型化与集成化。
通过在第二代Flip Chip封装技术领域取得关键性突破，结合自研低功耗固件、超薄 Die 封装设计工艺与全面的自动化测试系统，公司实现了512GB UFS3.1的全面量产。此款芯片顺序读写速度分别高达2100MB/s、1700MB/s，满足高端智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端设备市场的主流需求。
▲时创意UFS3.1存储产品
04 移动数码存储
活动现场，时创意展出了Micro SD、UDP 3.1、MUDP 3.1、SD 7.0等移动存储产品。时创意宽温Micro SD专为宽温设备存储设计，顺序读写速度分别高达170MB/s、150MB/s，提供32GB~512GB容量选择；-25℃~85℃宽温工作，无惧频繁断电、电压不稳定、冷热温差大等诸多恶劣使用环境的挑战，兼备稳定可靠、兼容性、高耐久度等优势，为视频监控、行车记录仪、教育电子、游戏掌机等终端应用保驾护航。
▲时创意团队与客户洽谈
▲现场合影留念
作为存储技术创新的践行者，时创意精准把握前沿的市场需求，依托丰富的一线客户服务项目经验和技术支持能力，强化创新研发与多元应用融合，助力终端价值最大化。未来，公司将不断深化存储产业链布局，持续发力行业级、企业级和工业级市场，为构建高效、智能、安全的存储生态系统提供坚实支撑。
